BS107P

Número de Producto del Fabricante:

BS107P

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

BS107P-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3

Descripción Detallada:

N-Channel 200 V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Through Hole TO-92

Inventario:

1875 Pcs Nuevos Originales En Stock

12902970

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BS107P Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Diodes Incorporated

Embalaje

Bulk

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

200 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

120mA (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

2.6V, 5V

rds activados (máx.) @ id, vgs

30Ohm @ 100mA, 5V

vgs(th) (máx.) @ id

-

Vgs (máx.)

±20V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

500mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-92

Paquete / Caja

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Número de producto base

BS107

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

4,000

Otros nombres

BS107P-NDR

BS107

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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