Número de Producto del Fabricante:
BS107PSTZ
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
BS107PSTZ-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Inventario:
1991 Pcs Nuevos Originales En Stock
12897444
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ENVIAR
BS107PSTZ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.6V, 5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
30Ohm @ 100mA, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
85 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
E-Line (TO-92 compatible)
Paquete / Caja
E-Line-3
Número de producto base
BS107
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
BS107PSTZ-DG
BS107PSTZDICT
BS107PSTZDITR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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