Número de Producto del Fabricante:
DMG4N65CTI
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMG4N65CTI-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 4A ITO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 8.35W (Ta) Through Hole ITO-220AB
Inventario:
12882720
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ENVIAR
DMG4N65CTI Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
900 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
8.35W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
ITO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Número de producto base
DMG4
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
DMG4N65CTIDI
DMG4N65CTIDDI
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TSM4ND65CI
FABRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
CANTIDAD DISPONIBLE
1845
NÚMERO DE PIEZA
TSM4ND65CI-DG
PRECIO UNITARIO
1.04
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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