Número de Producto del Fabricante:
DMG9N65CTI
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMG9N65CTI-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 9A ITO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 9A (Tc) 13W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventario:
12887780
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ENVIAR
DMG9N65CTI Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.3Ohm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2310 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
13W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
ITO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Número de producto base
DMG9
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
DMG9N65CTIDI
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STF7N65M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
72
NÚMERO DE PIEZA
STF7N65M2-DG
PRECIO UNITARIO
0.59
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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