Número de Producto del Fabricante:
DMJ70H600SH3
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMJ70H600SH3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 700V 11A TO251
Descripción Detallada:
N-Channel 700 V 11A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-251
Inventario:
12882196
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ENVIAR
DMJ70H600SH3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
700 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
600mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
643 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
113W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-251
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
DMJ70
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXTU8N70X2
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
64
NÚMERO DE PIEZA
IXTU8N70X2-DG
PRECIO UNITARIO
1.71
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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