Número de Producto del Fabricante:
DMN62D0LFB-7
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMN62D0LFB-7-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 100mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Inventario:
242572 Pcs Nuevos Originales En Stock
12901704
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ENVIAR
DMN62D0LFB-7 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2Ohm @ 100mA, 4V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
0.45 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
32 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
470mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
X1-DFN1006-3
Paquete / Caja
3-UFDFN
Número de producto base
DMN62
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
DMN62D0LFB-7DICT
DMN62D0LFB-7DITR
DMN62D0LFB-7DI-DG
DMN62D0LFB-7DI
DMN62D0LFB-7DIDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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