DMN62D0LFD-7
Número de Producto del Fabricante:

DMN62D0LFD-7

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

DMN62D0LFD-7-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 310MA 3DFN
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 310mA (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3

Inventario:

96932 Pcs Nuevos Originales En Stock
12887675
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DMN62D0LFD-7 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
310mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2Ohm @ 100mA, 4V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
0.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
31 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
480mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
X1-DFN1212-3
Paquete / Caja
3-UDFN
Número de producto base
DMN62

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
DMN62D0LFD-7CT-DG
DMN62D0LFD-7CT
DMN62D0LFD-7TR-DG
DMN62D0LFD-7DICT
DMN62D0LFD-7TR
DMN62D0LFD-7DKR
DMN62D0LFD-7DKR-DG
DMN62D0LFD-7DITR
DMN62D0LFD-7DIDKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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