DMN65D8LW-7
Número de Producto del Fabricante:

DMN65D8LW-7

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

DMN65D8LW-7-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 300mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-323

Inventario:

41102 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889595
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

DMN65D8LW-7 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
300mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3Ohm @ 115mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
0.87 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
22 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-323
Paquete / Caja
SC-70, SOT-323
Número de producto base
DMN65

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
DMN65D8LW7
DMN65D8LW-7DICT
DMN65D8LW-7DITR
DMN65D8LW-7DIDKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J331R,LF

MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K7002BSU,LF

MOSFET N-CH 60V 200MA USM

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K35CT,L3F

MOSFET N-CH 20V 180MA CST3

toshiba-semiconductor-and-storage

TK16J60W,S1VQ

MOSFET N-CH 600V 15.8A TO3P