Número de Producto del Fabricante:
EPC7019GC
Product Overview
Fabricante:
EPC Space, LLC
Número de pieza:
EPC7019GC-DG
Descripción:
GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 80A (Tc) Surface Mount 5-SMD
Inventario:
96 Pcs Nuevos Originales En Stock
13002576
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
EPC7019GC Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
EPC Space
Embalaje
Bulk
Serie
eGaN®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4mOhm @ 50A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 18mA
Vgs (máx.)
+6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2830 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
5-SMD
Paquete / Caja
5-SMD, No Lead
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
4107-EPC7019G
4107-EPC7019G-DG
EPC7019G
4107-EPC7019GC
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
HTSUS
0000.00.0000
Certificación DIGI
Productos relacionados
R6027YNXC7G
NCH 600V 14A, TO-220FM, POWER MO
IQE220N15NM5CGATMA1
TRENCH >=100V
IAUTN12S5N018TATMA1
MOSFET_(120V 300V)
