Número de Producto del Fabricante:
EPC2100
Product Overview
Fabricante:
EPC
Número de pieza:
EPC2100-DG
Descripción:
GANFET 2N-CH 30V 10A/40A DIE
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 10A (Ta), 40A (Ta) Surface Mount Die
Inventario:
230 Pcs Nuevos Originales En Stock
12795178
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ENVIAR
EPC2100 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
EPC
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
eGaN®
Estado del producto
Active
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Configuración
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Ta), 40A (Ta)
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Potencia - Máx.
-
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
Die
Paquete de dispositivos del proveedor
Die
Número de producto base
EPC210
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
917-1180-6
917-1180-1
917-1180-2
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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