Número de Producto del Fabricante:
EPC2102
Product Overview
Fabricante:
EPC
Número de pieza:
EPC2102-DG
Descripción:
GANFET 2N-CH 60V 23A DIE
Descripción Detallada:
Mosfet Array 60V 23A Surface Mount Die
Inventario:
125 Pcs Nuevos Originales En Stock
12801572
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
EPC2102 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
EPC
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
eGaN®
Estado del producto
Active
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Configuración
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
23A
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.4mOhm @ 20A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 7mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.8nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
830pF @ 30V
Potencia - Máx.
-
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
Die
Paquete de dispositivos del proveedor
Die
Número de producto base
EPC210
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
917-1182-6
917-1182-1
917-1182-2
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
CSD86356Q5D
MOSFET 2N-CH 25V 40A 8VSON-CLIP
CSD88539NDT
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
BSG0810NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A TISON8
