EPC2107

Número de Producto del Fabricante:

EPC2107

Product Overview

Fabricante:

EPC

Número de pieza:

EPC2107-DG

Descripción:

GANFET 3 N-CH 100V 9BGA

Descripción Detallada:

Mosfet Array 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)

Inventario:

5527 Pcs Nuevos Originales En Stock

12795189

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EPC2107 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET

Fabricante

EPC

Embalaje

Tape & Reel (TR)

Serie

eGaN®

Estado del producto

Active

Tecnología

GaNFET (Gallium Nitride)

Configuración

3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)

Función FET

-

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

100V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

1.7A, 500mA

rds activados (máx.) @ id, vgs

320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V

vgs(th) (máx.) @ id

2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

16pF @ 50V, 7pF @ 50V

Potencia - Máx.

-

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Caja

9-VFBGA

Paquete de dispositivos del proveedor

9-BGA (1.35x1.35)

Número de producto base

EPC210

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

2,500

Otros nombres

917-1168-2

917-1168-1

917-1168-6

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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