EPC2216
Número de Producto del Fabricante:

EPC2216

Product Overview

Fabricante:

EPC

Número de pieza:

EPC2216-DG

Descripción:

GANFET N-CH 15V 3.4A DIE
Descripción Detallada:
N-Channel 15 V 3.4A (Ta) Surface Mount Die

Inventario:

38692 Pcs Nuevos Originales En Stock
12816432
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

EPC2216 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
EPC
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
eGaN®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
15 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
26mOhm @ 1.5A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1.1 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
+6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
118 pF @ 7.5 V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
Die
Paquete / Caja
Die

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
917-1224-2
917-1224-1
917-1224-6

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Certificación DIGI
Productos relacionados
infineon-technologies

IRF6612TRPBF

MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET

infineon-technologies

SPP80N06S2L-H5

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

epc

EPC2037

GANFET N-CH 100V 1.7A DIE

infineon-technologies

IPP80N04S4L04AKSA1

MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1