Número de Producto del Fabricante:
EPC8002
Product Overview
Fabricante:
EPC
Número de pieza:
EPC8002-DG
Descripción:
GANFET N-CH 65V 2A DIE
Descripción Detallada:
N-Channel 65 V 2A (Ta) Surface Mount Die
Inventario:
52932 Pcs Nuevos Originales En Stock
12795199
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ENVIAR
EPC8002 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
EPC
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
eGaN®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
65 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
530mOhm @ 500mA, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Vgs (máx.)
+6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
21 pF @ 32.5 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
Die
Paquete / Caja
Die
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
Q9582320
917-1118-2
917-1118-1
917-1118-6
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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