FDP3672
Número de Producto del Fabricante:

FDP3672

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

FDP3672-DG

Descripción:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Descripción Detallada:
N-Channel 105 V 5.9A (Ta), 41A (Tc) 135W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

9651 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946356
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FDP3672 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
105 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.9A (Ta), 41A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
33mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1670 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
135W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
328
Otros nombres
2156-FDP3672
FAIFSCFDP3672

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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