Número de Producto del Fabricante:
IPL65R099C7AUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPL65R099C7AUMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 21A 4VSON
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Inventario:
9332 Pcs Nuevos Originales En Stock
12818138
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
7wDW
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPL65R099C7AUMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ C7
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
21A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
99mOhm @ 5.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 590µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2140 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
128W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-VSON-4
Paquete / Caja
4-PowerTSFN
Número de producto base
IPL65R099
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
448-IPL65R099C7AUMA1DKR
448-IPL65R099C7AUMA1CT
IFEINFIPL65R099C7AUMA1
SP001032722
2156-IPL65R099C7AUMA1
IPL65R099C7AUMA1-DG
448-IPL65R099C7AUMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
2A (4 Weeks)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
RSR010N10HZGTL
MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
RSR025N03HZGTL
MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
RSQ035N03HZGTR
MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
