Número de Producto del Fabricante:
PEMD16,115
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Número de pieza:
PEMD16,115-DG
Descripción:
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
Inventario:
3990 Pcs Nuevos Originales En Stock
12910650
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ENVIAR
PEMD16,115 Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Arrays de Transistores Bipolares, Pre-Biasados
Fabricante
Nexperia
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo de transistor
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50V
Resistencia - Base (R1)
22kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
47kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 5mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
1µA
Frecuencia - Transición
-
Potencia - Máx.
300mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-666
Número de producto base
PEMD16
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
1727-7358-2
934058921115
1727-7358-1
PEMD16 T/R
PEMD16 T/R-DG
PEMD16,115-DG
1727-7358-6
5202-PEMD16,115TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
RN1908FE(TE85L,F)
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
RN1908FE(TE85L,F)-DG
PRECIO UNITARIO
0.04
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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