Número de Producto del Fabricante:
NTE2018
Product Overview
Fabricante:
NTE Electronics, Inc
Número de pieza:
NTE2018-DG
Descripción:
IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 600mA 1W Through Hole 18-PDIP
Inventario:
22 Pcs Nuevos Originales En Stock
12950372
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ENVIAR
NTE2018 Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Arrays de transistores bipolares
Fabricante
Embalaje
Bag
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
8 NPN Darlington
Corriente - Colector (Ic) (Max)
600mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
1.6V @ 350mA, 500A
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
-
Potencia - Máx.
1W
Frecuencia - Transición
-
Temperatura de funcionamiento
-20°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
18-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete de dispositivos del proveedor
18-PDIP
Número de producto base
NTE20
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
2368-NTE2018
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.31.0000
Certificación DIGI
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