2N7000
Número de Producto del Fabricante:

2N7000

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

2N7000-DG

Descripción:

MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3

Inventario:

24412 Pcs Nuevos Originales En Stock
12836533
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

2N7000 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
50 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
400mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92-3
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número de producto base
2N7000

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
10,000
Otros nombres
2N7000FS
2832-2N7000
2156-2N7000-OS
2N7000FS-NDR
FAIFSC2N7000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

3LN01SS-TL-H

MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP

onsemi

FQP9N90C

MOSFET N-CH 900V 8A TO220-3

onsemi

FQA13N50CF_F109

MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN

onsemi

FDD6796

MOSFET N-CH 25V 20A/40A DPAK