FDB3502
Número de Producto del Fabricante:

FDB3502

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDB3502-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB
Descripción Detallada:
N-Channel 75 V 6A (Ta), 14A (Tc) 3.1W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

705 Pcs Nuevos Originales En Stock
12846123
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FDB3502 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
75 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Ta), 14A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
47mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
815 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 41W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
FDB350

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
800
Otros nombres
FDB3502CT
2166-FDB3502-488
FDB3502DKR
FDB350CT
FDB3502TR
FDB350CT-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
PSMN005-75B,118
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
4338
NÚMERO DE PIEZA
PSMN005-75B,118-DG
PRECIO UNITARIO
1.18
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
PSMN008-75B,118
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
5795
NÚMERO DE PIEZA
PSMN008-75B,118-DG
PRECIO UNITARIO
0.80
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IRFZ34NSTRLPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
3913
NÚMERO DE PIEZA
IRFZ34NSTRLPBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.54
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
PHB29N08T,118
FABRICANTE
NXP Semiconductors
CANTIDAD DISPONIBLE
2600
NÚMERO DE PIEZA
PHB29N08T,118-DG
PRECIO UNITARIO
0.43
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
alpha-and-omega-semiconductor

AOT10T60PL

MOSFET N-CH 600V 10A TO220

alpha-and-omega-semiconductor

AON6514

MOSFET N-CH 30V 23A/30A 8DFN

onsemi

IRFR130ATM

MOSFET N-CH 100V 13A DPAK

onsemi

FDBL0110N60

MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF