Número de Producto del Fabricante:
FDB3632
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDB3632-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 12A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12851123
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ENVIAR
FDB3632 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Ta), 80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6000 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
310W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
FDB363
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
FDB3632DKR
2156-FDB3632-488
FDB3632TR
FDB3632CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STB80NF10T4
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
775
NÚMERO DE PIEZA
STB80NF10T4-DG
PRECIO UNITARIO
1.46
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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PRECIO UNITARIO
0.55
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PRECIO UNITARIO
0.92
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PRECIO UNITARIO
0.81
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