Número de Producto del Fabricante:
FDB3860
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDB3860-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 6.4A/30A TO263
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 6.4A (Ta), 30A (Tc) 3.1W (Ta), 71W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12925230
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ENVIAR
FDB3860 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.4A (Ta), 30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
37mOhm @ 5.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1740 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 71W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
FDB386
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
FDB3860CT
FDB3860DKR
FDB3860TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STB30NF10T4
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
971
NÚMERO DE PIEZA
STB30NF10T4-DG
PRECIO UNITARIO
0.66
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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FABRICANTE
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PRECIO UNITARIO
0.55
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CANTIDAD DISPONIBLE
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PRECIO UNITARIO
0.81
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PRECIO UNITARIO
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CANTIDAD DISPONIBLE
0
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PRECIO UNITARIO
1.18
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