FDB6021P

Número de Producto del Fabricante:

FDB6021P

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDB6021P-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 20V 28A TO263AB

Descripción Detallada:

P-Channel 20 V 28A (Ta) 37W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea

12932222

Solicitar Cotización

Cantidad
Mínimo 1

(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas

ENVIAR

FDB6021P Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalaje

-

Serie

PowerTrench®

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

P-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

20 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

28A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

1.8V, 4.5V

rds activados (máx.) @ id, vgs

30mOhm @ 14A, 4.5V

vgs(th) (máx.) @ id

1.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

28 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.)

±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1890 pF @ 10 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

37W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-263 (D2PAK)

Paquete / Caja

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Número de producto base

FDB602

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

800

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Productos relacionados

renesas-electronics-america

2SK3326(9)AZ

DISCRETE / POWER MOSFET

harris-corporation

IRFU221

N-CHANNEL POWER MOSFET

renesas-electronics-america

2SK2114-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

IRFS254BFP001

N-CHANNEL POWER MOSFET