Número de Producto del Fabricante:
FDC3535
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDC3535-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 80V 2.1A SUPERSOT6
Descripción Detallada:
P-Channel 80 V 2.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Inventario:
12846224
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
GHAg
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FDC3535 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
183mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
880 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SuperSOT™-6
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número de producto base
FDC3535
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
2832-FDC3535
FDC3535DKR
FDC3535TR
FDC3535CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SI3129DV-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
SI3129DV-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.20
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
Productos relacionados
AOTF27S60L
MOSFET N-CH 600V 27A TO220-3F
FCH47N60-F133
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
AOTF472
MOSFET N-CH 75V 10A/53A TO220FL
