Número de Producto del Fabricante:
FDC6302P
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDC6302P-DG
Descripción:
MOSFET 2P-CH 25V 0.120A SSOT6
Descripción Detallada:
Mosfet Array 25V 120mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Inventario:
12836886
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FDC6302P Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120mA
rds activados (máx.) @ id, vgs
10Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
0.31nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11pF @ 10V
Potencia - Máx.
700mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivos del proveedor
SuperSOT™-6
Número de producto base
FDC6302
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
FDC6302PDKR
2832-FDC6302PTR
FDC6302P-DG
FDC6302PCT
FDC6302PTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
NTJD4152PT1G
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
15411
NÚMERO DE PIEZA
NTJD4152PT1G-DG
PRECIO UNITARIO
0.10
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
FDMS1D2N03DSD
MOSFET 2N-CH 30V 19A/70A 8PQFN
FDMS3604AS
MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
FDS6984S
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC
