Número de Producto del Fabricante:
FDC6322C
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDC6322C-DG
Descripción:
MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SSOT6
Descripción Detallada:
Mosfet Array 25V 220mA, 460mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Inventario:
12838609
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FDC6322C Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
220mA, 460mA
rds activados (máx.) @ id, vgs
4Ohm @ 400mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
0.7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9.5pF @ 10V
Potencia - Máx.
700mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivos del proveedor
SuperSOT™-6
Número de producto base
FDC6322
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
NTZD3155CT1G
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
55534
NÚMERO DE PIEZA
NTZD3155CT1G-DG
PRECIO UNITARIO
0.08
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
FDMS9600S
MOSFET 2N-CH 30V 12A 8MLP PWR56
FDC8602
MOSFET 2N-CH 100V 1.2A SSOT6
EFC6604R-TR
MOSFET 2N-CH 6EFCP
