Número de Producto del Fabricante:
FDD3860
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDD3860-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 6.2A (Ta) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
4493 Pcs Nuevos Originales En Stock
12839154
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ENVIAR
FDD3860 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
36mOhm @ 5.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1740 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
FDD386
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
FDD3860TR
2156-FDD3860-OS
FDD3860CT
FDD3860DKR
ONSONSFDD3860
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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