Número de Producto del Fabricante:
FDD86110
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDD86110-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 12.5A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 127W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
335 Pcs Nuevos Originales En Stock
12839079
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ENVIAR
FDD86110 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12.5A (Ta), 50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10.2mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2265 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 127W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
FDD861
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
FDD86110CT
FDD86110TR
FDD86110-DG
ONSONSFDD86110
2156-FDD86110-OS
FDD86110DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TK33S10N1Z,LQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
1940
NÚMERO DE PIEZA
TK33S10N1Z,LQ-DG
PRECIO UNITARIO
0.59
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
STD100N10F7
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
5739
NÚMERO DE PIEZA
STD100N10F7-DG
PRECIO UNITARIO
1.10
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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