Número de Producto del Fabricante:
FDD8778
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDD8778-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 35A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
12847328
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ENVIAR
FDD8778 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
14mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
845 pF @ 13 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
39W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
FDD877
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
FDD8778CT
FDD8778TR
FDD8778DKR
2156-FDD8778-OS
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPD135N03LGATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
31780
NÚMERO DE PIEZA
IPD135N03LGATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.26
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
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