Número de Producto del Fabricante:
FDD8880
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDD8880-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 13A (Ta), 58A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
13967 Pcs Nuevos Originales En Stock
12846733
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ENVIAR
FDD8880 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13A (Ta), 58A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1260 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
55W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
FDD888
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
FDD8880TR
FDD8880CT
2156-FDD8880-OS
FDD8880DKR
FAIFSCFDD8880
FDD8880-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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