FDFS6N754

Número de Producto del Fabricante:

FDFS6N754

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDFS6N754-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 30V 4A 8SOIC

Descripción Detallada:

N-Channel 30 V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventario:

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12837403

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FDFS6N754 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalaje

-

Serie

PowerTrench®

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

30 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

4A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

56mOhm @ 4A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

2.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

6 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

299 pF @ 15 V

Función FET

Schottky Diode (Isolated)

Disipación de potencia (máx.)

1.6W (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

8-SOIC

Paquete / Caja

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Número de producto base

FDFS6

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

2,500

Otros nombres

FDFS6N754DKR

FDFS6N754CT

FDFS6N754TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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