FDG314P
Número de Producto del Fabricante:

FDG314P

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDG314P-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 25V 650MA SC88
Descripción Detallada:
P-Channel 25 V 650mA (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

Inventario:

12848108
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FDG314P Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
650mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.7V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
63 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
750mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SC-88 (SC-70-6)
Paquete / Caja
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Número de producto base
FDG314

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
NTJS4151PT1G
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
10423
NÚMERO DE PIEZA
NTJS4151PT1G-DG
PRECIO UNITARIO
0.08
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

CPH6350-TL-W

MOSFET P-CH 30V 6A 6CPH

onsemi

FDZ294N

MOSFET N-CH 20V 6A 9BGA

alpha-and-omega-semiconductor

AOT42S60L

MOSFET N-CH 600V 37A TO220

onsemi

FDD6512A

MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A DPAK