FDMS86104
Número de Producto del Fabricante:

FDMS86104

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDMS86104-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 7A (Ta), 16A (Tc) 2.5W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea
12836932
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FDMS86104 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7A (Ta), 16A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
24mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
923 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 73W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
FDMS86

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
FDMS86104
Hoja de datos HTML
FDMS86104-DG

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
2156-FDMS86104-OS
ONSONSFDMS86104
FDMS86104CT
FDMS86104TR
FDMS86104DKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
BSC252N10NSFGATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
12
NÚMERO DE PIEZA
BSC252N10NSFGATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.45
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
STL40N10F7
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
5788
NÚMERO DE PIEZA
STL40N10F7-DG
PRECIO UNITARIO
0.63
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
BSC196N10NSGATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
53243
NÚMERO DE PIEZA
BSC196N10NSGATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.43
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Productos relacionados
onsemi

2V7002KT1G

MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23

onsemi

HUF75309P3

MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3

onsemi

FCPF099N65S3

MOSFET N-CH 650V 30A TO220F

onsemi

HUF76629D3ST-F085

MOSFET N-CH 100V 20A TO252