Número de Producto del Fabricante:
FDMS86320
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDMS86320-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 10.5A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventario:
6783 Pcs Nuevos Originales En Stock
12838242
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ENVIAR
FDMS86320 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10.5A (Ta), 22A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
8V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11.7mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2640 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
FDMS86
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
FDMS86320DKR
FDMS86320TR
FDMS86320CT
FDMS86320-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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