Número de Producto del Fabricante:
FDP047N08-F102
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDP047N08-F102-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 75 V 164A (Tc) 268W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
1596 Pcs Nuevos Originales En Stock
12850736
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ENVIAR
FDP047N08-F102 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
75 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
164A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9415 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
268W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
FDP047
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
2156-FDP047N08-F102-OS
FDP047N08_F102-DG
ONSONSFDP047N08-F102
FDP047N08_F102
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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