Número de Producto del Fabricante:
FDP2D9N12C
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDP2D9N12C-DG
Descripción:
PTNG 120V N-FET TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 120 V 18A (Ta), 210A (Tc) 2.4W (Ta), 333W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12839564
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ENVIAR
FDP2D9N12C Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
120 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Ta), 210A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 686µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
109 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8894 pF @ 60 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.4W (Ta), 333W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
FDP2
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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