Número de Producto del Fabricante:
FDP51N25
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDP51N25-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 51A (Tc) 320W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12848405
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ENVIAR
FDP51N25 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
UniFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
51A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
60mOhm @ 25.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3410 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
320W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
FDP51
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
2156-FDP51N25-OS
ONSONSFDP51N25
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXTP50N25T
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
533
NÚMERO DE PIEZA
IXTP50N25T-DG
PRECIO UNITARIO
2.35
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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FABRICANTE
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CANTIDAD DISPONIBLE
475
NÚMERO DE PIEZA
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PRECIO UNITARIO
2.17
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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PRECIO UNITARIO
1.36
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PRECIO UNITARIO
3.18
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PRECIO UNITARIO
2.08
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