Número de Producto del Fabricante:
FDR842P
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDR842P-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 11A SUPERSOT8
Descripción Detallada:
P-Channel 12 V 11A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
Inventario:
12846683
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ENVIAR
FDR842P Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9mOhm @ 11A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
80 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5350 pF @ 6 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SuperSOT™-8
Paquete / Caja
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Número de producto base
FDR84
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
FDR842P-DG
FDR842PTR
FDR842PCT
FDR842PDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDC606P
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
FDC606P-DG
PRECIO UNITARIO
0.30
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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