FDR858P

Número de Producto del Fabricante:

FDR858P

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDR858P-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 30V 8A SUPERSOT8

Descripción Detallada:

P-Channel 30 V 8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8

Inventario:

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12847149

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FDR858P Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

P-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

30 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

8A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

19mOhm @ 8A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

3V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

30 nC @ 5 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

2010 pF @ 15 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

1.8W (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

SuperSOT™-8

Paquete / Caja

8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)

Número de producto base

FDR85

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

3,000

Otros nombres

FDR858P-DG

FDR858PCT

FDR858PDKR

FDR858PTR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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