Número de Producto del Fabricante:
FDS2170N3
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDS2170N3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 3A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
Inventario:
12850569
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FDS2170N3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
128mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1292 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO FLMP
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Número de producto base
FDS21
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
FDS2170N3_NLCT
FDS2170N3_NLCT-DG
FDS2170N3_NLTR
FDS2170N3DKR
FDS2170N3_NL
FDS2170N3CT
FDS2170N3CT-NDR
FDS2170N3TR
FDS2170N3TR-NDR
FDS2170N3_NLTR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDMS2672
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
1825
NÚMERO DE PIEZA
FDMS2672-DG
PRECIO UNITARIO
1.14
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
AUIRF3805S-7P
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
AON6324
MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN
FQP6N15
MOSFET N-CH 150V 6.4A TO220-3
