FDS2670
Número de Producto del Fabricante:

FDS2670

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDS2670-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventario:

2359 Pcs Nuevos Originales En Stock
12837484
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FDS2670 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
130mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1228 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
FDS26

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
FDS2670TR
FDS2670CT
ONSONSFDS2670
2156-FDS2670-OS
FDS2670DKR
FDS2670-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

FQD4P40TM-AM002

MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK

onsemi

HUF76645S3S

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

onsemi

FQP7N80

MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3

onsemi

FDV304P_NB8U003

MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23