Número de Producto del Fabricante:
FDS3170N7
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDS3170N7-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 6.7A 8SO
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 6.7A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
Inventario:
12839286
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ENVIAR
FDS3170N7 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
26mOhm @ 6.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2714 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO FLMP
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Número de producto base
FDS31
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
FDS3170N7_NLTR
FDS3170N7CT-NDR
FDS3170N7DKR
FDS3170N7TR
FDS3170N7_NLTR-DG
FDS3170N7_NL
FDS3170N7_NLCT
FDS3170N7CT
FDS3170N7TR-NDR
FDS3170N7_NLCT-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDMS3672
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
5020
NÚMERO DE PIEZA
FDMS3672-DG
PRECIO UNITARIO
1.18
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
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