FDS6673BZ
Número de Producto del Fabricante:

FDS6673BZ

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDS6673BZ-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 14.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventario:

5548 Pcs Nuevos Originales En Stock
12850376
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FDS6673BZ Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
14.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.8mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
124 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4700 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
FDS6673

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
FDS6673BZ-DG
Q3295237
ONSONSFDS6673BZ
FDS6673BZTR
2156-FDS6673BZ-OS
FDS6673BZCT
FDS6673BZDKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
infineon-technologies

BSO130P03SHXUMA1

MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO

onsemi

FDMS86350

MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56

onsemi

IRFS750A

MOSFET N-CH 400V 8.4A TO220F

onsemi

FCD4N60TM

MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK