Número de Producto del Fabricante:
FDS6680AS
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDS6680AS-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 11.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12839815
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ENVIAR
FDS6680AS Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®, SyncFET™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10mOhm @ 11.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1240 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
FDS6680
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
FDS6680ASTR
FDS6680AS-DG
2156-FDS6680AS-488
FDS6680ASCT
FDS6680ASDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TSM180N03CS RLG
FABRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
CANTIDAD DISPONIBLE
4980
NÚMERO DE PIEZA
TSM180N03CS RLG-DG
PRECIO UNITARIO
0.12
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
FDS4470
FABRICANTE
Fairchild Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
193682
NÚMERO DE PIEZA
FDS4470-DG
PRECIO UNITARIO
0.85
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IRF7821TRPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
16602
NÚMERO DE PIEZA
IRF7821TRPBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.37
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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