FDS6682

Número de Producto del Fabricante:

FDS6682

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDS6682-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC

Descripción Detallada:

N-Channel 30 V 14A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea

13209728

Solicitar Cotización

Cantidad
Mínimo 1

(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas

ENVIAR

FDS6682 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalaje

-

Serie

PowerTrench®

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

30 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

14A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

7.5mOhm @ 14A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

3V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

31 nC @ 5 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

2310 pF @ 15 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

1W (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

8-SOIC

Paquete / Caja

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Número de producto base

FDS66

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

FDS6682 Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar

2,500

Otros nombres

FAIFSCFDS6682

488-FDS6682DKR

488-FDS6682TR

488-FDS6682CT

2156-FDS6682-OS

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Productos relacionados

onsemi

STD5406NT4G

MOSFET N-CH 40V 12.2A DPAK

64-4060PBF

IC MOSFET

onsemi

FDD5N50FTM-WS

MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK

94-2312PBF

IC MOSFET