Número de Producto del Fabricante:
FDS86540
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDS86540-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 18A 8SOIC
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 18A (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
6584 Pcs Nuevos Originales En Stock
12850055
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ENVIAR
FDS86540 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
8V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6410 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
FDS86
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
2156-FDS86540-OS
FDS86540-DG
FDS86540TR
FDS86540CT
ONSONSFDS86540
FDS86540DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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