Número de Producto del Fabricante:
FDU6N25
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDU6N25-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventario:
12850989
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FDU6N25 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
UniFET™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.1Ohm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
250 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I-PAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Número de producto base
FDU6
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
70
Otros nombres
FDU6N25OS
2156-FDU6N25-OS
FDU6N25-DG
ONSONSFDU6N25
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFU224PBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IRFU224PBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.53
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
FDPF2D3N10C
MOSFET N-CH 100V 222A TO220F
FDD26AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA
IPP057N08N3GHKSA1
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
