Número de Producto del Fabricante:
FDZ663P
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDZ663P-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 2.7A 4WLCSP
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 2.7A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (0.8x0.8)
Inventario:
12838532
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ENVIAR
FDZ663P Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
134mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8.2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
525 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
4-WLCSP (0.8x0.8)
Paquete / Caja
4-XFBGA, WLCSP
Número de producto base
FDZ66
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
FDZ663PCT
FDZ663PDKR
FDZ663PTR
FDZ663P-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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