Número de Producto del Fabricante:
FQB4N80TM
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQB4N80TM-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 3.9A (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
720 Pcs Nuevos Originales En Stock
12837758
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ENVIAR
FQB4N80TM Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
QFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.6Ohm @ 1.95A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
880 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.13W (Ta), 130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
FQB4N80
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
FQB4N80TMDKR
ONSONSFQB4N80TM
FQB4N80TMTR
FQB4N80TM-DG
FQB4N80TMCT
2156-FQB4N80TM-OS
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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