FQP8P10
Número de Producto del Fabricante:

FQP8P10

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FQP8P10-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 100V 8A TO220-3
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 8A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

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FQP8P10 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
530mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
470 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
65W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
FQP8

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
FQP8P10
Hoja de datos HTML
FQP8P10-DG

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
FQP8P10-DG
ONSONSFQP8P10
FQP8P10FS
2156-FQP8P10-OS

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
FQP17P10
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
FQP17P10-DG
PRECIO UNITARIO
0.64
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IRF9520NPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
384
NÚMERO DE PIEZA
IRF9520NPBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.73
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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